Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT10M11B2VFRG
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
830184Imagem APT10M11B2VFRG.Microsemi

APT10M11B2VFRG

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    APT10M11B2VFRG
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    APT10M11B2VFRG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    T-MAX™
  • Série
    POWER MOS V®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    11 mOhm @ 500mA, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    520W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-247-3 Variant
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    10300pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    450nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    100V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 100V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

A Intel receberá US $ 7,86 bilhões em subsídios sob a Le...

27/11/2024

A AMD lança a construção da segunda fase do Bangalore De...

26/11/2024

A placa gráfica NVIDIA RTX 5090 possui uma área de GPU de...

25/11/2024

Anthropic recebe outro investimento de US $ 4 bilhões da A...

23/11/2024

Semi: as vendas de IC aumentam 12% no terceiro trimestr...

22/11/2024

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

21/11/2024

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

20/11/2024

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

18/11/2024

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

17/11/2024
Envio
Pagamento
O seguinte é "APT10M11B2VFRG" produtos relacionados.
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Descrição: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Descrição: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Descrição: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Descrição: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Descrição: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Descrição: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Descrição: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Descrição: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100M50J

APT100M50J

Descrição: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Descrição: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Descrição: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100S20BG

APT100S20BG

Descrição: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Descrição: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Descrição: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Descrição: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Descrição: IGBT 600V 183A 780W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Descrição: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Descrição: IGBT 600V 183A 780W TO264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Descrição: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Descrição: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.
SEGUE-NOS
termos e CondiçõesPolítica de infraçãoSolicitar uma cotaçãoSobre nósContate-nosMapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.