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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT30F50S
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5719130Imagem APT30F50S.Microsemi

APT30F50S

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
90+
$7.262
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    APT30F50S
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    APT30F50S.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    D3Pak
  • Série
    POWER MOS 8™
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    190 mOhm @ 14A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    415W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    21 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    4525pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    115nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    500V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 500V 30A (Tc) 415W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

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Envio
Pagamento
O seguinte é "APT30F50S" produtos relacionados.
APT30DQ120BG

APT30DQ120BG

Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Descrição: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Descrição: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Descrição: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Descrição: IGBT 600V 100A 463W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30DQ120KG

APT30DQ120KG

Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Descrição: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Descrição: IGBT 600V 100A 463W TO264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Descrição: DIODE MODULE 200V SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30DQ60BCTG

APT30DQ60BCTG

Descrição: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Descrição: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Descrição: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30DQ120BCTG

APT30DQ120BCTG

Descrição: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30F50B

APT30F50B

Descrição: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30F60J

APT30F60J

Descrição: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Descrição: IGBT 600V 100A 463W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Descrição: IGBT 600V 63A 203W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Descrição: IGBT 600V 63A 203W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
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