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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > APT30GN60BDQ2G
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5307822Imagem APT30GN60BDQ2G.Microsemi

APT30GN60BDQ2G

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
120+
$4.918
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    APT30GN60BDQ2G
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IGBT 600V 63A 203W TO247
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • Condição de teste
    400V, 30A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (ligar / desligar) @ 25 ° C
    12ns/155ns
  • Alternando Energia
    525µJ (on), 700µJ (off)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-247 [B]
  • Série
    -
  • Power - Max
    203W
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-247-3
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    32 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • portão de carga
    165nC
  • Descrição detalhada
    IGBT Trench Field Stop 600V 63A 203W Through Hole TO-247 [B]
  • Atual - Collector Pulsada (ICM)
    90A
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    63A
APT30DQ60BHBG

APT30DQ60BHBG

Descrição: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30DQ60KG

APT30DQ60KG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30DQ60BG

APT30DQ60BG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30F50S

APT30F50S

Descrição: MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Descrição: IGBT 600V 63A 203W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30DS20HJ

APT30DS20HJ

Descrição: DIODE MODULE 200V SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Descrição: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30F50B

APT30F50B

Descrição: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Descrição: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30F60J

APT30F60J

Descrição: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Descrição: IGBT 600V 100A 463W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

Descrição: IGBT 600V 64A 250W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Descrição: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30DS60BG

APT30DS60BG

Descrição: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Descrição: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Descrição: IGBT 600V 54A 250W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30GS60BRDQ2G

APT30GS60BRDQ2G

Descrição: IGBT 600V 54A 250W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Descrição: IGBT 600V 100A 463W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Descrição: IGBT 600V 54A 250W TO220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Descrição: IGBT 600V 100A 463W TO264

Fabricantes: Microsemi
Disponível

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