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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > APT36GA60B
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411460Imagem APT36GA60B.Microsemi

APT36GA60B

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$6.81
10+
$6.078
30+
$5.47
120+
$4.984
270+
$4.498
510+
$4.036
1020+
$3.404
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    APT36GA60B
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IGBT 600V 65A 290W TO-247
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    APT36GA60B.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, Ic
    2.5V @ 15V, 20A
  • Condição de teste
    400V, 20A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ligar / desligar) @ 25 ° C
    16ns/122ns
  • Alternando Energia
    307µJ (on), 254µJ (off)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-247 [B]
  • Série
    POWER MOS 8™
  • Power - Max
    290W
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-247-3
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    29 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    PT
  • portão de carga
    102nC
  • Descrição detalhada
    IGBT PT 600V 65A 290W Through Hole TO-247 [B]
  • Atual - Collector Pulsada (ICM)
    109A
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    65A

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Envio
Pagamento
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APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Descrição: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT35SM70S

APT35SM70S

Descrição: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Descrição: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT35SM70B

APT35SM70B

Descrição: MOSFET N-CH 700V TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT38F80L

APT38F80L

Descrição: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Descrição: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT37F50B

APT37F50B

Descrição: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Descrição: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Descrição: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT37M100B2

APT37M100B2

Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT37M100L

APT37M100L

Descrição: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT37F50S

APT37F50S

Descrição: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Descrição: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT38F50J

APT38F50J

Descrição: MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT35GP120J

APT35GP120J

Descrição: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT38F80B2

APT38F80B2

Descrição: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Descrição: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Descrição: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT38M50J

APT38M50J

Descrição: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Descrição: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
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