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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > APTM100A13DG

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APTM100A13DG

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Disponível

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$158.086

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

APTM100A13DG
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

APTM100A13DG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA
Embalagem do dispositivo fornecedor

SP6
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

156 mOhm @ 32.5A, 10V
Power - Max

1250W
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

SP6
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

15200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

562nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

1000V (1kV)
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

65A

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