Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > JAN1N5623US
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
2581267

JAN1N5623US

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
100+
$10.566
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    JAN1N5623US
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Contém chumbo / RoHS não compatível
  • Fichas de dados
    JAN1N5623US.pdf
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.6V @ 3A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    1000V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    D-5A
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/429
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    500ns
  • Embalagem
    Bulk
  • Caixa / Gabinete
    SQ-MELF, A
  • Outros nomes
    1086-19426
    1086-19426-MIL
  • Temperatura de Operação - Junção
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    8 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount D-5A
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    500nA @ 1000V
  • Atual - rectificada média (Io)
    1A
  • Capacitância @ Vr, F
    15pF @ 12V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Microchip anuncia 500 demissões, com custos de reestrutura...

04/12/2024

Quanta: a demanda de IA continua forte, com um fluxo consta...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

A Samsung reduz significativamente o uso fotorresistente na...

02/12/2024

Vishay investirá £ 51 milhões no NWF Wafer Fab adquirido

29/11/2024

A ameaça tarifária de Trump, Nvidia, fornecedores da Inte...

28/11/2024

A Intel receberá US $ 7,86 bilhões em subsídios sob a Le...

27/11/2024

A AMD lança a construção da segunda fase do Bangalore De...

26/11/2024
Envio
Pagamento
O seguinte é "JAN1N5623US" produtos relacionados.
JAN1N5629A

JAN1N5629A

Descrição: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5642A

JAN1N5642A

Descrição: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5621

JAN1N5621

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
JAN1N5640A

JAN1N5640A

Descrição: TVS DIODE 17.1V 27.7V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5644A

JAN1N5644A

Descrição: TVS DIODE 25.6V 41.4V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5623

JAN1N5623

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5620

JAN1N5620

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5637A

JAN1N5637A

Descrição: TVS DIODE 12.8V 21.2V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5619

JAN1N5619

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5632A

JAN1N5632A

Descrição: TVS DIODE 7.78V 13.4V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5639A

JAN1N5639A

Descrição: TVS DIODE 15.3V 25.2V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5645A

JAN1N5645A

Descrição: TVS DIODE 28.2V 45.7V DO202AA

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5646A

JAN1N5646A

Descrição: TVS DIODE 30.8V 49.9V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5635A

JAN1N5635A

Descrição: TVS DIODE 10.2V 16.7V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5622

JAN1N5622

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.
SEGUE-NOS
termos e CondiçõesPolítica de infraçãoSolicitar uma cotaçãoSobre nósContate-nosMapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.