Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > JAN1N5804
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
2977587

JAN1N5804

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
120+
$8.547
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    JAN1N5804
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Contém chumbo / RoHS não compatível
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    975mV @ 2.5A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    100V
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    25ns
  • Embalagem
    Bulk
  • Caixa / Gabinete
    A, Axial
  • Outros nomes
    1086-2119
    1086-2119-MIL
  • Temperatura de Operação - Junção
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    8 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 100V 2.5A Through Hole
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    1µA @ 100V
  • Atual - rectificada média (Io)
    2.5A
  • Capacitância @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

Anthropic recebe outro investimento de US $ 4 bilhões da A...

23/11/2024

Semi: as vendas de IC aumentam 12% no terceiro trimestr...

22/11/2024

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

21/11/2024

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

20/11/2024

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

18/11/2024

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

17/11/2024

Expandindo a produção de painéis OLED, a LG Display inve...

15/11/2024

A Amazon aumenta os esforços para criar chips de IA person...

14/11/2024

O lucro líquido do terceiro trimestre de Pegatron foi de N...

13/11/2024
Envio
Pagamento
O seguinte é "JAN1N5804" produtos relacionados.
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Descrição: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Descrição: TVS DIODE 111V 179V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Descrição: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Descrição: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5652A

JAN1N5652A

Descrição: TVS DIODE 53V 85V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Descrição: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Descrição: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Descrição: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Descrição: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Descrição: TVS DIODE 10CFLATPACK

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.
SEGUE-NOS
termos e CondiçõesPolítica de infraçãoSolicitar uma cotaçãoSobre nósContate-nosMapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.