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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > JAN1N5804URS
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JAN1N5804URS

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
100+
$21.69
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    JAN1N5804URS
  • Fabricante / Marca
    Microsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 100V 1A APKG
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Contém chumbo / RoHS não compatível
  • Fichas de dados
    JAN1N5804URS.pdf
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    875mV @ 1A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    100V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    A-MELF
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    25ns
  • Embalagem
    Bulk
  • Caixa / Gabinete
    SQ-MELF, A
  • Outros nomes
    1086-19432
    1086-19432-MIL
  • Temperatura de Operação - Junção
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount A-MELF
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    1µA @ 100V
  • Atual - rectificada média (Io)
    1A
  • Capacitância @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

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Envio
Pagamento
O seguinte é "JAN1N5804URS" produtos relacionados.
JAN1N5804

JAN1N5804

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Descrição: TVS DIODE 10CFLATPACK

Fabricantes: Microsemi Corporation
Disponível
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Descrição: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Descrição: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Descrição: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Descrição: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Descrição: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Descrição: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Descrição: TVS DIODE 111V 179V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Descrição: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Descrição: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Fabricantes: Microsemi
Disponível
RFQ
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