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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > DMA5610H0R

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Imagem DMA5610H0R.

Panasonic

DMA5610H0R

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMA5610H0R
Fabricante / Marca

Panasonic
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI5
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMA5610H0R.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SMini5-F3-B
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Outros nomes

DMA5610H0RCT
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

DMA5610

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