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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > DME50B010R

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Imagem DME50B010R.

Panasonic

DME50B010R

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Disponível

3000+

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6000+

$0.11

15000+

$0.102

30000+

$0.094

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DME50B010R
Fabricante / Marca

Panasonic
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN/PNP DARL 50V SMINI5
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DME50B010R.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor

NPN, PNP Complementary Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor

SMini5-F3-B
Série

-
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Outros nomes

DME50B010R-ND
DME50B010RTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

11 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

150MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP Complementary Darlington 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini5-F3-B
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

DME50

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Forma de pagamento

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