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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DRA3113Z0L

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2679011

Imagem DRA3113Z0L.

Panasonic

DRA3113Z0L

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Disponível

10000+

$0.087

30000+

$0.082

50000+

$0.075

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DRA3113Z0L
Fabricante / Marca

Panasonic
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DRA3113Z0L.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SSSMini3-F2-B
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

1 kOhms
Power - Max

100mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-723
Outros nomes

DRA3113Z0L-ND
DRA3113Z0LTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

11 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 100mW Surface Mount SSSMini3-F2-B
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

DRA3113

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