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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DRA2543E0L
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DRA2543E0L

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Disponível
3000+
$0.175
6000+
$0.164
15000+
$0.153
30000+
$0.151
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    DRA2543E0L
  • Fabricante / Marca
    Panasonic
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    DRA2543E0L.pdf
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 100mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    Mini3-G3-B
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Power - Max
    200mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Outros nomes
    DRA2543E0L-ND
    DRA2543E0LTR
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    11 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    50 @ 100mA, 10V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    1µA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    500mA
  • Número da peça base
    DRA2543

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