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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DRC5123E0L

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Imagem DRC5123E0L.

Panasonic

DRC5123E0L

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75000+

$0.063

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DRC5123E0L
Fabricante / Marca

Panasonic
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 100MW SMINI3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DRC5123E0L.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SMini3-F2-B
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

2.2 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

100mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-85
Outros nomes

DRC5123E0L-ND
DRC5123E0LTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

11 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 100mW Surface Mount SMini3-F2-B
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

6 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

DRC5123

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