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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > UNR723100L
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722627Imagem UNR723100L.Panasonic

UNR723100L

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    UNR723100L
  • Fabricante / Marca
    Panasonic
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PREBIAS NPN 1W MINIP3
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Contém chumbo / RoHS não compatível
  • Fichas de dados
    UNR723100L.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    20V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    400mV @ 5mA, 500mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    MiniP3-F1
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Power - Max
    1W
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-243AA
  • Outros nomes
    UNR723100LTR
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequência - Transição
    55MHz
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 700mA 55MHz 1W Surface Mount MiniP3-F1
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    800 @ 150mA, 10V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    10µA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    700mA

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