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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > UNR911TJ0L

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5097114

Imagem UNR911TJ0L.

Panasonic

UNR911TJ0L

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

UNR911TJ0L
Fabricante / Marca

Panasonic
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

UNR911TJ0L.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SSMini3-F1
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Power - Max

125mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-89, SOT-490
Outros nomes

UN911TJ-(TX)
UN911TJ-TX
UN911TJTR
UN911TJTR-ND
UNR911TJ0LTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

80MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F1
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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Forma de pagamento

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