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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > XN0431200L
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5302243

XN0431200L

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    XN0431200L
  • Fabricante / Marca
    Panasonic
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    XN0431200L.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo transistor
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    MINI6-G1
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    22 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Power - Max
    300mW
  • Embalagem
    Cut Tape (CT)
  • Caixa / Gabinete
    SOT-23-6
  • Outros nomes
    XN0431200LCT
    XN4312CT
    XN4312CT-ND
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequência - Transição
    150MHz, 80MHz
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150MHz, 80MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    100mA

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