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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > STB11NM60N-1
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2751651Imagem STB11NM60N-1.STMicroelectronics

STB11NM60N-1

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1000+
$2.013
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    STB11NM60N-1
  • Fabricante / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    STB11NM60N-1.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    I2PAK
  • Série
    MDmesh™ II
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    450 mOhm @ 5A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    90W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    850pF @ 50V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    600V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    10A (Tc)

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27/09/2024
Envio
Pagamento
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