STB11NM80T4

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1000+

$4.075

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Especificações

Modelo do Produto

STB11NM80T4
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STB11NM80T4.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D2PAK
Série

MDmesh™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

400 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

150W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

497-4319-2
Temperatura de operação

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1630pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

43.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

800V
Descrição detalhada

N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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