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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - Single > STGW80H65DFB-4

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5610474

Imagem STGW80H65DFB-4.

STMicroelectronics

STGW80H65DFB-4

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

600+

$9.714

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

STGW80H65DFB-4
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IGBT BIPO 650V 80A TO247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STGW80H65DFB-4.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic

2V @ 15V, 80A
Condição de teste

400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C

84ns/280ns
Alternando Energia

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247-4L
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

85ns
Power - Max

469W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-4
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench Field Stop
portão de carga

414nC
Descrição detalhada

IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-4L
Atual - Collector Pulsada (ICM)

240A
Atual - Collector (Ic) (Max)

120A

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