STU10P6F6

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Especificações

Modelo do Produto

STU10P6F6
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STU10P6F6.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

IPAK (TO-251)
Série

DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS ON (Max) @ Id, VGS

160 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

35W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes

497-13884-5
Temperatura de operação

175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 48V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

P-Channel 60V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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O seguinte é "STU10P6F6" produtos relacionados.

STU16N60M2

Descrição: MOSFET N-CH 600V 12A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

Disponível

STU10P6F6

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