STU13N60M2

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Especificações

Modelo do Produto

STU13N60M2
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

STU13N60M2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

IPAK (TO-251)
Série

MDmesh™ II Plus
RDS ON (Max) @ Id, VGS

380 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

110W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes

497-13885-5
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

580pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 11A (Tc) 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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O seguinte é "STU13N60M2" produtos relacionados.

STU16N60M2

Descrição: MOSFET N-CH 600V 12A IPAK

Fabricantes: STMicroelectronics

Disponível

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