STW11NB80

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Disponível

600+

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Especificações

Modelo do Produto

STW11NB80
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

STW11NB80.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247-3
Série

PowerMESH™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

800 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

190W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Outros nomes

497-2789-5
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

800V
Descrição detalhada

N-Channel 800V 11A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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Remessa
Forma de pagamento

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O seguinte é "STW11NB80" produtos relacionados.

STW12NK95Z

Descrição: MOSFET N-CH 950V 10A TO-247

Fabricantes: STMicroelectronics

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