1N4003G R0G

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Especificações

Modelo do Produto

1N4003G R0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1N4003G R0G.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se

1V @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

200V
Embalagem do dispositivo fornecedor

DO-204AL (DO-41)
Velocidade

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série

-
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

DO-204AL, DO-41, Axial
Outros nomes

1N4003G R0G-ND
1N4003GR0G
Temperatura de Operação - Junção

-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode

Standard
Descrição detalhada

Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Atual - dispersão reversa @ Vr

5µA @ 200V
Atual - rectificada média (Io)

1A
Capacitância @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Fabricantes: Diodes Incorporated

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