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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - ponte retificadores > GBL08 D2G
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465808Imagem GBL08 D2G.TSC (Taiwan Semiconductor)

GBL08 D2G

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$1.06
10+
$0.94
25+
$0.849
100+
$0.743
250+
$0.652
500+
$0.576
1200+
$0.455
3600+
$0.425
6000+
$0.403
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    GBL08 D2G
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Tensão - Pico Reversa (Max)
    800V
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1V @ 2A
  • Tecnologia
    Standard
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    GBL
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    4-SIP, GBL
  • Outros nomes
    GBL08 D2G-ND
    GBL08D2G
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    7 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Single Phase
  • Descrição detalhada
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBL
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    5µA @ 800V
  • Atual - rectificada média (Io)
    4A
GBL10-E3/51

GBL10-E3/51

Descrição: DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
GBL06-E3/45

GBL06-E3/45

Descrição: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
GBL06-E3/51

GBL06-E3/51

Descrição: DIODE GPP 1PH 4A 600V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
GBL08-M3/45

GBL08-M3/45

Descrição: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
GBL06-M3/51

GBL06-M3/51

Descrição: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
GBL06

GBL06

Descrição: DIODE BRIDGE 600V 4A GBL

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Disponível
GBL08-G

GBL08-G

Descrição: RECTIFIER BRIDGE 4.0A 800V 2GBJ

Fabricantes: Comchip Technology
Disponível
GBL06HD2G

GBL06HD2G

Descrição: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
GBL08HD2G

GBL08HD2G

Descrição: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
GBL08-E3/45

GBL08-E3/45

Descrição: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
GBL10 D2G

GBL10 D2G

Descrição: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
GBL06-G

GBL06-G

Descrição: DIODE BRIDGE 4A 600V 2GBJ

Fabricantes: Comchip Technology
Disponível
GBL10

GBL10

Descrição: DIODE BRIDGE 1000V 4A GBL

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Disponível
GBL08-M3/51

GBL08-M3/51

Descrição: BRIDGE RECT 4A GPP 800V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
GBL06-M3/45

GBL06-M3/45

Descrição: BRIDGE RECT 4A GPP 600V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
GBL04HD2G

GBL04HD2G

Descrição: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
GBL10-E3/45

GBL10-E3/45

Descrição: DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
GBL06 D2G

GBL06 D2G

Descrição: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
GBL08-E3/51

GBL08-E3/51

Descrição: DIODE GPP 1PH 4A 800V GBL

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
GBL08

GBL08

Descrição: DIODE BRIDGE 800V 4A GBL

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Disponível

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