Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > RS1JL RHG
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
5578229Imagem RS1JL RHG.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JL RHG

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
10000+
$0.045
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    RS1JL RHG
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    RS1JL RHG.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.3V @ 800mA
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    600V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    Sub SMA
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    250ns
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    DO-219AB
  • Outros nomes
    RS1JL RHG-ND
    RS1JLRHG
  • Temperatura de Operação - Junção
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    21 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 600V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    5µA @ 600V
  • Atual - rectificada média (Io)
    800mA
  • Capacitância @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26/01/2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Microchip anuncia 500 demissões, com custos de reestrutura...

04/12/2024

Quanta: a demanda de IA continua forte, com um fluxo consta...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

A Samsung reduz significativamente o uso fotorresistente na...

02/12/2024

Vishay investirá £ 51 milhões no NWF Wafer Fab adquirido

29/11/2024

A ameaça tarifária de Trump, Nvidia, fornecedores da Inte...

28/11/2024

A Intel receberá US $ 7,86 bilhões em subsídios sob a Le...

27/11/2024
Envio
Pagamento
O seguinte é "RS1JL RHG" produtos relacionados.
RS1JLHMTG

RS1JLHMTG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JL RVG

RS1JL RVG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JL MHG

RS1JL MHG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JHM2G

RS1JHM2G

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JHE3_A/H

RS1JHE3_A/H

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1JLHMQG

RS1JLHMQG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JHR3G

RS1JHR3G

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JL RTG

RS1JL RTG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JL R3G

RS1JL R3G

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JL M2G

RS1JL M2G

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JLHRFG

RS1JLHRFG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JL RQG

RS1JL RQG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1JL RUG

RS1JL RUG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JL MQG

RS1JL MQG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JL RFG

RS1JL RFG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JL MTG

RS1JL MTG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JLHMHG

RS1JLHMHG

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JLHM2G

RS1JLHM2G

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1JLHR3G

RS1JLHR3G

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.
SEGUE-NOS
termos e CondiçõesPolítica de infraçãoSolicitar uma cotaçãoSobre nósContate-nosNotíciasMapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.