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Imagem TSM180N03CS RLG.

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM180N03CS RLG

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

2500+

$0.164

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TSM180N03CS RLG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CHANNEL 30V 9A 8SOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TSM180N03CS RLG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SOP
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

18 mOhm @ 8A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

TSM180N03CS RLGTR
TSM180N03CS RLGTR-ND
TSM180N03CSRLGTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tempo de entrega padrão do fabricante

28 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 9A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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