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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TSM170N06PQ56 RLG

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Imagem TSM170N06PQ56 RLG.

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM170N06PQ56 RLG

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Disponível

2500+

$0.262

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TSM170N06PQ56 RLG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TSM170N06PQ56 RLG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-PDFN (5x6)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

17 mOhm @ 8A, 10V
Dissipação de energia (Max)

73.5W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Outros nomes

TSM170N06PQ56 RLGTR
TSM170N06PQ56 RLGTR-ND
TSM170N06PQ56RLGTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1556pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 44A (Tc) 73.5W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

44A (Tc)

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