TSM260P02CX6 RFG

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Especificações

Modelo do Produto

TSM260P02CX6 RFG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CHANNEL 20V 6.5A SOT26
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TSM260P02CX6 RFG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-26
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

26 mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

1.56W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6
Outros nomes

TSM260P02CX6 RFGTR
TSM260P02CX6 RFGTR-ND
TSM260P02CX6RFGTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tempo de entrega padrão do fabricante

36 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

19.5nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 6.5A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-26
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6.5A (Tc)

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