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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SA1930,Q(J

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6400451

Imagem 2SA1930,Q(J.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2SA1930,Q(J
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PNP 2A 180V TO220-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

2SA1930,Q(J.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

180V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A
Tipo transistor

PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220NIS
Série

-
Power - Max

2W
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-220-3 Full Pack
Outros nomes

2SA1930Q(J
2SA1930QJ
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

200MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 180V 2A 200MHz 2W Through Hole TO-220NIS
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

5µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

2A

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