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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SB1457(T6CNO,A,F)

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Imagem 2SB1457(T6CNO,A,F).

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2SB1457(T6CNO,A,F)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PNP 2A 100V TO226-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

2SB1457(T6CNO,A,F).pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1mA, 1A
Tipo transistor

PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-92MOD
Série

-
Power - Max

900mW
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Outros nomes

2SB1457(T6CNOAF)
2SB1457T6CNOAF
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

50MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 2A 50MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 1A, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

2A

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