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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SC2229-O(MITIF,M)

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Imagem 2SC2229-O(MITIF,M).

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2SC2229-O(MITIF,M)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

2SC2229-O(MITIF,M).pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

150V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-92MOD
Série

-
Power - Max

800mW
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Outros nomes

2SC2229-O(MITIFM)
2SC2229OMITIFM
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

120MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

50mA

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