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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > 2SJ380(F)

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Imagem 2SJ380(F).

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ380(F)

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2SJ380(F)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.2SJ380(F).pdf
2.2SJ380(F).pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220NIS
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

210 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max)

35W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

P-Channel 100V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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