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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > 2SK4017(Q)

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Imagem 2SK4017(Q).

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4017(Q)

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2SK4017(Q)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.2SK4017(Q).pdf
2.2SK4017(Q).pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PW-MOLD2
Série

U-MOSIII
RDS ON (Max) @ Id, VGS

100 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

20W (Tc)
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Outros nomes

2SK4017(Q)-ND
2SK4017Q
Q11923257
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 5A (Ta) 20W (Tc) Through Hole PW-MOLD2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

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Envio

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