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Imagem CBS10S30,L3F.

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

CBS10S30,L3F
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DIODE SCHOTTKY 20V 1A CST2B
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

CBS10S30,L3F.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se

450mV @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

20V
Embalagem do dispositivo fornecedor

CST2B
Velocidade

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

2-SMD, No Lead
Outros nomes

CBS10S30L3F(ACT
CBS10S30L3F(ACT-ND
CBS10S30L3FCT
Temperatura de Operação - Junção

125°C (Max)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode

Schottky
Descrição detalhada

Diode Schottky 20V 1A Surface Mount CST2B
Atual - dispersão reversa @ Vr

500µA @ 30V
Atual - rectificada média (Io)

1A
Capacitância @ Vr, F

135pF @ 0V, 1MHz

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