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Casa > Produtos > Proteção de circuito > TVS - diodos > DF10G6M4N,LF
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5821476Imagem DF10G6M4N,LF.Toshiba Semiconductor and Storage

DF10G6M4N,LF

Inquérito On-line

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
3000+
$0.121
6000+
$0.114
15000+
$0.107
30000+
$0.098
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    DF10G6M4N,LF
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Tensão - Reverse Standoff (Typ)
    5.5V (Max)
  • Tensão - Aperto (Max) @ Ipp
    25V
  • Voltagem - Discriminação (Min)
    5.6V
  • Digitar
    Zener
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    10-DFN (2.5x1)
  • Série
    -
  • Proteção da linha de alimentação
    No
  • Potência - Pico de pulso
    30W
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    10-UFDFN
  • Outros nomes
    DF10G6M4N,LF(D
    DF10G6M4NLFTR
  • Temperatura de operação
    -
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    12 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Corrente - Pico de Pulso (10 / 1000μs)
    2A (8/20µs)
  • Capacitância @ Frequency
    0.2pF @ 1MHz
  • Canais Bidirecionais
    4
  • aplicações
    General Purpose
DF10M/45

DF10M/45

Descrição: RECTIFIER BRIDGE 1.0A 1000V 4DIP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
DF10M-E3/45

DF10M-E3/45

Descrição: DIODE GPP 1A 1000V 4DIP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
DF100R07W1H5FPB54BPSA2

DF100R07W1H5FPB54BPSA2

Descrição: LOW POWER EASY

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
DF10-G

DF10-G

Descrição: RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF

Fabricantes: Comchip Technology
Disponível
DF100R07W1H5FPB53BPSA2

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

Descrição: MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
DF10G5M4N,LF

DF10G5M4N,LF

Descrição: TVS DIODE 3.6V 24V 10DFN

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
DF10S-E3/45

DF10S-E3/45

Descrição: DIODE GPP 1A 1000V 4SMD

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
DF10M

DF10M

Descrição: DIODE BRIDGE 1000V 1.5A 4DIP

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
DF10-31S-2DSA(68)

DF10-31S-2DSA(68)

Descrição: CONN 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Fabricantes: Hirose
Disponível
DF10MA-E3/45

DF10MA-E3/45

Descrição: DIODE GPP 1A 1000V 4DIP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
DF10S

DF10S

Descrição: IC RECT BRIDGE 1000V 1.5A 4-SMD

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
DF10-29S-2DSA(62)

DF10-29S-2DSA(62)

Descrição: CONN 29PIN THRU HOLE

Fabricantes: Hirose
Disponível
DF10M

DF10M

Descrição: RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF-M

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
DF1000R17IE4DB2BOSA1

DF1000R17IE4DB2BOSA1

Descrição: IGBT MODULE 1700V 1000A

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
DF10-31S-2DSA(59)

DF10-31S-2DSA(59)

Descrição: CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Fabricantes: Hirose
Disponível
DF1000R17IE4BOSA1

DF1000R17IE4BOSA1

Descrição: IGBT MODULE 1700V 1000A

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
DF10S-E3/77

DF10S-E3/77

Descrição: DIODE GPP 1A 1000V 4SMD

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Disponível
DF10-31S-2DSA(62)

DF10-31S-2DSA(62)

Descrição: CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Fabricantes: Hirose
Disponível
DF10S

DF10S

Descrição: RECT BRIDGE SMD 1000V 1A 4P DF-S

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
DF10G7M1N,LF

DF10G7M1N,LF

Descrição: TVS DIODE 5V 12V 10DFN

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível

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