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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > HN2A01FE-Y(TE85L,F

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Imagem HN2A01FE-Y(TE85L,F.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FE-Y(TE85L,F

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

HN2A01FE-Y(TE85L,F
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

HN2A01FE-Y(TE85L,F.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor

2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

ES6
Série

-
Power - Max

100mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Outros nomes

HN2A01FE-Y(TE85LFCT
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

80MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

150mA

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Forma de pagamento

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