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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - RF > MT3S16U(TE85L,F)
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2063595Imagem MT3S16U(TE85L,F).Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
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$0.101
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    MT3S16U(TE85L,F)
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    5V
  • Tipo transistor
    NPN
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    USM
  • Série
    -
  • Power - Max
    100mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    SC-70, SOT-323
  • Outros nomes
    MT3S16U(TE85LF)TR
  • Temperatura de operação
    125°C (TJ)
  • Fator de ruído (dB Typ @ f)
    2.4dB @ 1GHz
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ganho
    4.5dBi
  • Frequência - Transição
    4GHz
  • Descrição detalhada
    RF Transistor NPN 5V 60mA 4GHz 100mW Surface Mount USM
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 1V
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    60mA
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Descrição: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Descrição: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

Descrição: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Descrição: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Descrição: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Descrição: PARALLEL/PSRAM 48M

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT3B3024

MT3B3024

Descrição: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
Disponível
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Descrição: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Descrição: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
MT3B6115

MT3B6115

Descrição: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
Disponível
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Descrição: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Descrição: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Descrição: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
MT3B30C4

MT3B30C4

Descrição: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
Disponível
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Descrição: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Descrição: PARALLEL/PSRAM 80M

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Descrição: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Descrição: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Fabricantes: Micron Technology
Disponível
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

Descrição: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

Descrição: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível

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