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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > RN1109ACT(TPL3)

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Imagem RN1109ACT(TPL3).

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109ACT(TPL3)

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RN1109ACT(TPL3)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RN1109ACT(TPL3).pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

CST3
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

47 kOhms
Power - Max

100mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-101, SOT-883
Outros nomes

RN1109ACT(TPL3)TR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

80mA

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