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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > RN1605TE85LF

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Imagem RN1605TE85LF.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1605TE85LF

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

3000+

$0.063

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RN1605TE85LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RN1605TE85LF.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SM6
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

300mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-74, SOT-457
Outros nomes

RN1605(TE85L,F)
RN1605TE85LFTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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