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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > RN2101ACT(TPL3)
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847260Imagem RN2101ACT(TPL3).Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    RN2101ACT(TPL3)
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 5mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    CST3
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Power - Max
    100mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    SC-101, SOT-883
  • Outros nomes
    RN2101ACT(TPL3)TR
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    80mA
RN2101,LF(CT

RN2101,LF(CT

Descrição: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN204-0.6-02-4M4

RN204-0.6-02-4M4

Descrição: CMC 4.4MH 600MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Disponível
RN2104(T5L,F,T)

RN2104(T5L,F,T)

Descrição: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN21-I/RM

RN21-I/RM

Descrição: RF TXRX MODULE BLUETOOTH

Fabricantes: Micrel / Microchip Technology
Disponível
RN2103CT(TPL3)

RN2103CT(TPL3)

Descrição: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN2103(T5L,F,T)

RN2103(T5L,F,T)

Descrição: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN2102CT(TPL3)

RN2102CT(TPL3)

Descrição: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN2103ACT(TPL3)

RN2103ACT(TPL3)

Descrição: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN204-1.5-02-1M6

RN204-1.5-02-1M6

Descrição: CMC 1.6MH 1.5A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Disponível
RN204-0.3-02-12M

RN204-0.3-02-12M

Descrição: CMC 12MH 300MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Disponível
RN2101CT(TPL3)

RN2101CT(TPL3)

Descrição: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN2102,LF(CT

RN2102,LF(CT

Descrição: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN204-2-02-1M1

RN204-2-02-1M1

Descrição: CMC 1.1MH 2A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Disponível
RN2102ACT(TPL3)

RN2102ACT(TPL3)

Descrição: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN204-0.3-02-22M

RN204-0.3-02-22M

Descrição: CMC 22MH 300MA 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Disponível
RN2103MFV,L3F

RN2103MFV,L3F

Descrição: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN2104ACT(TPL3)

RN2104ACT(TPL3)

Descrição: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN202-2-02

RN202-2-02

Descrição: CMC 1.1MH 2A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Disponível
RN202-2-02-1M1

RN202-2-02-1M1

Descrição: CMC 1.1MH 2A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Disponível
RN204-1-02-3M0

RN204-1-02-3M0

Descrição: CMC 3MH 1A 2LN TH

Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.
Disponível

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