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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > RN2111ACT(TPL3)

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Imagem RN2111ACT(TPL3).

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111ACT(TPL3)

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RN2111ACT(TPL3)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RN2111ACT(TPL3).pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

80mA
Tensão - Breakdown

CST3
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

50V
Série

-
Status de RoHS

Cut Tape (CT)
Resistor - Emissor Base (R2) (Ohms)

10k
Resistor - Base (R1) (Ohms)

-
Power - Max

100mW
Polarização

SC-101, SOT-883
Outros nomes

RN2111ACT(TPL3)CT
Fator de ruído (dB Typ @ f)

-
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)

1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante

RN2111ACT(TPL3)
Frequência - Transição

120 @ 1mA, 5V
Descrição expandida

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100nA (ICBO)
Atual - Collector Cutoff (Max)

150mV @ 250µA, 5mA
Atual - Collector (Ic) (Max)

PNP - Pre-Biased

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