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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > RN2110MFV,L3F

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RN2110MFV,L3F

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Disponível

8000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RN2110MFV,L3F
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RN2110MFV,L3F.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

VESM
Série

-
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

150mW
Caixa / Gabinete

SOT-723
Outros nomes

RN2110MFVL3F
Tipo de montagem

Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante

16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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