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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > RN2118MFV(TPL3)

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3326518

Imagem RN2118MFV(TPL3).

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118MFV(TPL3)

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$0.081

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2500+

$0.05

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RN2118MFV(TPL3)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RN2118MFV(TPL3).pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

VESM
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

47 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SOT-723
Outros nomes

RN2118MFV(TPL3)CT
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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