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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > RN2118(T5L,F,T)

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6210314

Imagem RN2118(T5L,F,T).

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118(T5L,F,T)

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RN2118(T5L,F,T)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RN2118(T5L,F,T).pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SSM
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

47 kOhms
Power - Max

100mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-75, SOT-416
Outros nomes

RN2118(T5LFT)TR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

200MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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Forma de pagamento

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