RN2506(TE85L,F)

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Especificações

Modelo do Produto

RN2506(TE85L,F)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RN2506(TE85L,F).pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SMV
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

300mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SC-74A, SOT-753
Outros nomes

RN2506(TE85LF)CT
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

200MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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