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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SSM3J358R,LF

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3385103

Imagem SSM3J358R,LF.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J358R,LF

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500+

$0.154

1000+

$0.118

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SSM3J358R,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SSM3J358R,LF.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23F
Série

U-MOSVII
RDS ON (Max) @ Id, VGS

22.1 mOhm @ 6A, 8V
Dissipação de energia (Max)

1W (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SOT-23-3 Flat Leads
Outros nomes

SSM3J358RLFCT
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1331pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

38.5nC @ 8V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.8V, 8V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

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