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Imagem SSM3K302T(TE85L,F).

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K302T(TE85L,F)

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SSM3K302T(TE85L,F)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 3A TSM
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SSM3K302T(TE85L,F).pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TSM
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

71 mOhm @ 2A, 4V
Dissipação de energia (Max)

700mW (Ta)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

SSM3K302T(TE85LF)DKR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 4V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.8V, 4V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

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