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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SSM3K318R,LF

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3858009

Imagem SSM3K318R,LF.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K318R,LF

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500+

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1000+

$0.136

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SSM3K318R,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SSM3K318R,LF.pdf
Tensão - Teste

235pF @ 30V
Tensão - Breakdown

SOT-23F
VGS (th) (Max) @ Id

107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (Max)

4.5V, 10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Série

U-MOSIV
Status de RoHS

Cut Tape (CT)
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2.5A (Ta)
Polarização

SOT-23-3 Flat Leads
Outros nomes

SSM3K318RLFCT
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

16 Weeks
Número de peça do fabricante

SSM3K318R,LF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

2.8V @ 1mA
Característica FET

N-Channel
Descrição expandida

N-Channel 60V 2.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

-
Descrição

MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

60V
Rácio de capacitância

1W (Ta)

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