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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TK040N65Z,S1F

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424186

Imagem TK040N65Z,S1F.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK040N65Z,S1F

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Disponível

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30+

$10.638

120+

$9.775

510+

$8.338

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TK040N65Z,S1F
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TK040N65Z,S1F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 2.85mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

40 mOhm @ 28.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

360W (Tc)
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Outros nomes

TK040N65Z,S1F(S
TK040N65ZS1F
Temperatura de operação

150°C
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

Not Applicable
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6250pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 57A (Ta) 360W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

57A (Ta)

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