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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TK3R1P04PL,RQ

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5060304

Imagem TK3R1P04PL,RQ.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK3R1P04PL,RQ

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

2500+

$0.618

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TK3R1P04PL,RQ
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TK3R1P04PL,RQ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 500µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

U-MOSIX-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.1 mOhm @ 29A, 10V
Dissipação de energia (Max)

87W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

TK3R1P04PL,RQ(S2
TK3R1P04PL,RQTR
TK3R1P04PLRQ
TK3R1P04PLRQ(S2
TK3R1P04PLRQTR
Temperatura de operação

175°C
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4670pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

N-Channel 40V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

58A (Tc)

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